DUXERIT lux principium

DUXERIT (lux emittens Diode)est solida-statu semiconductoris machinae quae energiam electricam in lucem visibilem convertere potest. Potest directe electricitatem in lucem convertere. Cor ductus est chip semiconductor. Alter finis spumae bracket adnectitur, alter finis electrode negativo est, alter finis cum positivo electrode copiae potentiae coniungitur, ita ut totum chip in epoxy resinae encapsulatum sit.

Semiconductor laganum ex duabus partibus constat. Una pars semiconductor P-type est, in qua perforata dominantur, altera finis est semiconductor N-type, ubi electrons maxime adest. Sed cum hi duo semiconductores conectuntur, fit inter eos coniunctio P-N. Cum laganum per filum agit, electrons in P regionem mittetur, ubi electronica perforata redibunt, et tunc industria in modum photons emittetur. DUXIT lucem emittens. Lucis neces, id est color lucis, determinatur ex materia confluentia P-N formante.

DUXERIT directe emittere potest rubeum, flavum, caeruleum, viridem, cyanum, aureum, purpureum et lumen candidum.

Initio, LEDs adhibitae sunt ut indices lucis instrumentorum ad fontes. Postea, LEDs vario lumine colorum late usi sunt in luminibus negotiationis ac magnae area ostentationis tegumenta, bona oeconomica et socialia producentia. Accipe 12-inch rubrum negotiationis lux in exemplum. In Civitatibus Foederatis, vita longa, levis efficacia visualis 140-watt lucerna candens adhibetur ut fons lucis, qui ad 2,000 lumen lucis candidae producit. Post transitum per colum rubeum, 90% lucis perit, tantum 200 lumen rubrae lucis relinquens. In lucerna nuper designata, Lumileds 18 fontes lucis rubri DUCTUS utitur, qui summam quattuordecim watts potentiae inclusis in ambitu damna ad eundem effectum producendum consumunt. Signa autocineta luminaria quoque area magni momenti sunt ad applicationes lucis ducatur.

Ad generalem illuminationem, homines fontes lucis albis indigent. Anno 1998, album-lucem emittens DUXERIT feliciter amplificatum est. Hoc genus LED factum est per sarcinas gaN astulas et yttrium aluminii carbunculi (YAG). Chipum GaN lucem caeruleam emittit (λp=465nm, Wd=30nm), et YAG phosphora continens Ce3+ facta per sinteringum altum temperatura emittit lucem luteam postquam luce caerulea excitata est, cum cacumine valoris 550 nLED m. Substratum caeruleum DUXERIT in cavum reflexum patera-formatum inauguratur et tenui strato resinae cum YAG mixto, circiter 200-500nm obtegitur. Pars lucis caeruleae a ductus substratae phosphoro emissae absorbetur, et altera pars lucis caeruleae mixta est cum luce lutea a phosphoro emissa ad lucem obtinendam albam.

Pro InGaN/YAG alba LEDs, chemicam compositionem YAG phosphori mutando et crassitudinem phosphori lavacri aptando, lumen album variorum colorum cum colore temperaturae 3500-1000K obtineri potest. Haec methodus obtinendi lucem candidam per caeruleum LED habet structuram simplicem, humilem costum, altam technologicam maturitatem, qua maxime utendum est.